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机译:高漏极偏压下AlGaN / GaN异质结构绝缘栅场效应晶体管的电流/电压特性崩溃
机译:具有Al_2O_3 / Si_3N_4栅极绝缘体的沟道掺杂AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的高漏极电流密度和降低的栅极泄漏电流
机译:超薄Al_2O_3 / Si_3N_4双层AlGaN / GaN绝缘栅异质结构场效应晶体管中栅电流泄漏优异抑制效果的机理
机译:具有再生欧姆结构的Al_2O_3 / Si_3N_4绝缘栅掺杂AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管:具有高跨导的低栅漏电流
机译:研究应力和偏置对AlGaN / GaN基异质结构的2DEG和漏极电流的影响的新方法
机译:结合虚拟栅极和转移电子效应的影响,对AlGaN / GaN HFET的漏极电流特性进行分析建模。
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的电流崩溃和栅极泄漏电流的机制
机译:偏压应力在alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中引起的电流崩塌;杂志文章