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Insulated-gate field effect transistor exhibiting a maximum source-drain conductance at a critical gate bias voltage

机译：绝缘栅场效应晶体管在临界栅偏置电压下表现出最大的源漏电导

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公开/公告号US3407343A

专利类型
公开/公告日1968-10-22

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申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;
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申请/专利号US19660537833
发明设计人 FANG FRANK F.;
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申请日1966-03-28
分类号H01L29/00;H01L29/76;H01L29/78;
国家 US
入库时间 2022-08-23 12:50:16

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