近源栅近漏栅分立控制型无掺杂场效应晶体管

摘要

本发明涉及一种近源栅近漏栅分立控制型无掺杂场效应晶体管，通过采用不掺杂或掺杂浓度低的单晶硅衬底材料，利用近源栅电极、近漏栅电极两个彼此独立控制的栅电极，对比于普通有结和无结场效应晶体管，在避免掺杂工艺导致器件迁移率下降的前提下，一方面保持近漏栅电极处于高电位而使器件的漏电极一侧处于低阻状态，另一方面通过调节近源栅电极的电位来改变源电极一侧的阻值，进而实现器件的关断和开启。本发明有效地降低了有结型和无结型场效应晶体管所共同存在的栅极反向泄漏电流过大的问题，保证了器件的正常工作。