机译:零偏置,低-,单片集成10 Gbit / s DFB激光器和电吸收调制器,位于半绝缘InP衬底上
机译:高速(10 Gbit / s)和低驱动电压(1 V峰峰值)InGaAs / InGaAsP MQW电吸收调制器集成DFB激光器,具有半绝缘掩埋异质结构
机译:低-10Gbit / s电吸收Modulartor集成DFB激光器
机译:使用分立且单片集成的InGaAsP-InP Mach-Zehnder调制器和DFB激光器在1102 km的NDSF上以2.5 Gbit / s的速率传输1.55 / spl mu / m
机译:10-Gbit / s的125°C(-25°C至100°C)扩展工作温度范围,1.55-μm集成电吸收调制器的DFB激光器,可进行80公里的SMF传输
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:具有单片集成激光器的基于InP的涡旋光束发射器
机译:基于InP的单片集成光接收器,用于4-10GBit / S光电系统
机译:采用相同层方法的单片集成InGaasp / Inp激光器/调制器,用于光电子振荡器