超低压选择区域生长法制备产生10 GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源

摘要

采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemicalvapor deposition,MOCVD)技术成功制备了InGaAsP/InGaAsP级联电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distributed feedback laser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的器件具有良好的性能:激射阈值为19 mA,出光功率为4.5 mW,在5 V的驱动电压下达到了20dB的消光比,器件3dB响应带宽达到了10GHz以上.应用这种新型器件,利用级联EAM的光开关效应,获得了重复率为10 GHz、半高宽(full-width-at-half-maximum,FWHM)为13.7 ps的超短光脉冲.