1.55um In GaAsP／InP部分增益耦合分布反馈式激光器与电吸收调制器的单片集成——制作与静态特性（1）

摘要

该文首次报道一种结构简单的1.55um InGaAsP／InP部分增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件。该器件采用脊波导结构进行横模限制，阈值电流大约为30～50mA，边模抑制比大于40 dB，调制电压为3V时消光比11 dB。