分布反馈半导体激光器与电吸收调制器集成光源及制法

摘要

分布反馈半导体激光器与电吸收调制器集成光源及制法，属于光电子器件技术领域领域，其特征在于：所述的DFB激光器采用由周期性排列的有源层材料形成的光栅结构，所述的集成光源的有源层材料采用一次外延生长实现的量子阱结构。本发明还包括上述集成光源的制作工艺，其特征在于：所述的集成光源的有源层可以在一次外延过程中生长完毕，可以通过提高有源层量子阱个数来提高所述的EA调制器的调制速率，并通过刻蚀有源层材料实现所述的DFB激光器中的光栅。本发明综合考虑了DFB激光器和EA调制器性能优化的趋势，同时优化集成光源中两个器件的性能，并且制作工艺简单。在高速光纤通信系统中具有广泛的应用前景。