用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源

摘要

采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth, SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD)技术成功制备了应变型InGaAsP/InGaAsP电吸收调制器(electroabsorption modulator, EAM)与分布反馈激光器(distribute feedback laser, DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能:激射阈值为19 mA,出光功率接近7 mW,边模抑制比(side-mode suppression ratio, SMSR)大于40 dB,将该集成器件出射光耦合进普通单模光纤后进行测量,获得了16 dB的消光比,器件3 dB响应带宽达到了10 GHz以上.将该集成器件完全封装后成功进行了10 Gb/s非归零码(non-return zero, NRZ)的传输实验:在误码率为10-10的传输条件下于普通单模光纤中传输了53.3 km,色散代价小于1.5 dB,动态消光比大于8 dB,且眼图清晰张开.