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机译:用于高密度非易失性存储器的新型,浅沟槽隔离的平面N + SAG FAMOS晶体管
机译:垂直纳米柱GAA晶体管和基于氧化物的RRAM单元完全兼容CMOS的1T1R集成,适用于高密度非易失性存储应用
机译:使用具有标准CMOS门堆栈的准平面体晶体管的低成本,可扩展的嵌入式非易失性存储器
机译:基于自旋转矩磁隧道结的伪自旋晶体管架构的非易失性静态随机存取存储器和非易失性触发器的非易失性门控现场可编程门阵列
机译:将3D NAND闪存转换为用于深度学习神经网络(DNN)的内存中高密度,高带宽和低功耗非易失性计算(nvCIM)加速器的最佳设计方法
机译:适用于超高密度非易失性存储器件的垂直多堆叠晶体管。
机译:晶体管存储器:45-二氮杂芴基供体-受体小分子作为可调非易失性有机晶体管存储器的电荷俘获元件(Adv。Sci。12/2018)
机译:晶体管内存:基于4,5-二氮杂芳烃的供体 - 受体小分子作为电荷捕获元件,用于可调谐非易失性有机晶体管内存(ADV。SCI。12/2018)
机译:高度缩放,高密度,商用,非易失性NaND闪存的辐射测试 - 更新2012。