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机译:垂直纳米柱GAA晶体管和基于氧化物的RRAM单元完全兼容CMOS的1T1R集成,适用于高密度非易失性存储应用
Institute of Microelectronics, A$ast$STAR (Agency for Science, Technology and Research), Singapore;
Computer architecture; Hafnium compounds; Logic gates; Microprocessors; Nanoscale devices; Switches; Transistors; Gate-all-around structure; high density 1T1R integration; low power switching; resistive random access memory (RRAM); vertical nanopillar transistor;
机译:具有多层石墨烯电极的高度透明的氧化Dy基RRAM,适用于低功耗非易失性存储器应用
机译:用于数字和模拟非易失性存储器应用的RRAM器件的开关特性
机译:针对高耐久性和高密度非易失性存储应用的氧化还原活性分子纳米线闪存的校正(第7卷,第27306页,2015年)
机译:垂直纳米柱GAA晶体管和基于氧化物的RRAM单元完全兼容CMOS的1T1R集成,适用于高密度非易失性存储应用
机译:适用于超高密度非易失性存储器件的垂直多堆叠晶体管。
机译:并五苯薄膜晶体管中具有Al / TiO2 / Au和Sol-Gel绝缘体的1T1R非易失性存储器用于锆酸镍钡栅
机译:氧化氧化物RRAM装置电阻切换和传导机制的研究,用于新兴的非易失性存储器应用