Room-temperature pulsed operation of a 1.5- mu m GaInAsP/InP vertical cavity surface emitting laser

Tadokoro T.; Okamoto H.

首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Electron Devices >Room-temperature pulsed operation of a 1.5- mu m GaInAsP/InP vertical cavity surface emitting laser

【24h】

Room-temperature pulsed operation of a 1.5- mu m GaInAsP/InP vertical cavity surface emitting laser

机译：1.5微米GaInAsP / InP垂直腔表面发射激光器的室温脉冲操作

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

开具论文收录证明 >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

Summary form only given. Room-temperature operation of a current-injection near-1.55- mu m GaInAsP/InP vertical-cavity surface emitting laser diode (VCSELD) was achieved. The double heterostructure was grown by metal-organic chemical vapor deposition on a

机译：仅提供摘要表格。 GainAsP / InP垂直腔表面发射激光二极管（VCSELD）注入电流接近1.55μm的室温操作。双异质结构通过金属有机化学气相沉积在

著录项

来源
《IEEE Transactions on Electron Devices》 |1992年第11期|P.2651-2652|共2页
作者
Tadokoro T.; Okamoto H.;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Room-temperature pulsed operation of 1.5-/spl mu/m vertical cavity lasers with an InP-based Bragg reflector [J] . Streubel K., Rapp S. IEEE Photonics Technology Letters . 1996,第9期

机译：具有基于InP的布拉格反射器的1.5- / splμ/ m垂直腔激光器的室温脉冲操作
2. Room temperature pulsed operation of 1.5 mu m GaInAsP/InP vertical-cavity surface-emitting laser [J] . Tadokoro T., Okamoto H. IEEE Photonics Technology Letters . 1992,第5期

机译：1.5μmGaInAsP / InP垂直腔面发射激光器的室温脉冲操作
3. Pulsed electrical operation of 1.5-/spl mu/m vertical-cavity surface-emitting lasers [J] . Fisher M.A., Huang Y.-Z. IEEE Photonics Technology Letters . 1995,第6期

机译：1.5- / spl mu / m垂直腔面发射激光器的脉冲电操作
4. Room Temperature Pulsed Operation of a 1.5-/spl mu/m GaInAsP/InP Vertical Cavity Surface Emitting Laser [C] . Tadokoro, T., Okamoto, . 2001

机译：1.5- / splμm/ m的GaInAsP / InP垂直腔表面发射激光器的室温脉冲操作
5. Ultrashort pulse generation from vertical cavity surface emitting semiconductor lasers. [D] . Jasim, Khalil E. 2004

机译：从垂直腔表面发射半导体激光器产生超短脉冲。
6. Room-temperature 2D semiconductor activated vertical-cavity surface-emitting lasers [O] . Jingzhi Shang, Chunxiao Cong, Zilong Wang, -1

机译：室温2D半导体激活的垂直腔面发射激光器
7. A GaInAsP/InP Vertical Cavity Surface Emitting Laser for 1.5m operation [O] . R. Sceats, N. Balkan, M. J. Adams, 2015

机译：用于1.5m工作的GaInasp / Inp垂直腔面发射激光器
8. Room-Temperature CW Operation of GaInAsP/InP Double-Heterostructure Diode Lasers Emitting at 1.1 Micrometers. [R] . Hsieh, J. J., Rossi, J. A., Donnelly, J. P. 1976

机译：GaInasp / Inp双异质结构二极管激光器的室温CW操作发射1.1微米。

Room-temperature pulsed operation of a 1.5- mu m GaInAsP/InP vertical cavity surface emitting laser

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅