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机译:将IGBT的集电极电压施加到衬底上时,SOI薄膜上的横向IGBT的特性
机译:薄型SOI中的横向IGBT,用于高压,高速电源IC
机译:1.5μm的薄层土壤上的高压电子注入增强型TC-LIGHT可减少正向压降
机译:用于ESD保护的高压横向IGBT的电热特性研究。
机译:具有沟槽掩埋氧化物结构的绝缘体上硅衬底上的横向IGBT和二极管的瞬态特性分析
机译:使用高压IGBT的中压感应电动机驱动器的电压源逆变器选件。
机译:施加电压控制的Fe-Cu伪有序多孔薄膜中的矫顽力调制:一种磁电驱动材料的可持续节能方法
机译:基于LEGO工艺在部分SOI衬底上实现的新型横向DMOS和IGBT结构