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机译:具有SiGe源极结构的部分耗尽SOI MOSFET的浮体效应抑制及其机理
机译:使用Si_(1-x)Ge_x双源结构抑制部分耗尽的SOI MOSFET浮体效应的仿真
机译:使用Si / sub 1-x / Ge / sub x /源结构的带隙工程方法抑制SOI MOSFET中的浮体效应
机译:额外的源极注入可抑制部分耗尽的SOI MOSFET中的浮体效应
机译:具有SiGe源极结构的SOI MOSFET的浮体效应抑制机理
机译:对部分耗尽的绝缘体上硅MOSFET的瞬态辐射影响进行建模和仿真。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:具有高GE分数的高性能PMOSFET应变SiGE-异质结构 - 通过选择性B掺杂SiGE CVD形成的超肺源/漏极