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Multisubband Monte Carlo Study of Transport, Quantization, and Electron-Gas Degeneration in Ultrathin SOI n-MOSFETs

机译:超薄SOI n-MOSFET中多子带蒙特卡洛研究的输运,量化和电子-气体退化

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摘要

This paper presents a new self-consistent multisubband Monte Carlo model for electronic transport in the inversion layer of decananometric MOSFETs. The simulator is 2-D in real space and in $vec{k}$-space and accounts for the electron-gas degeneracy in the $vec{k}$-space. Simulation of nanoscale ultra-thin-body silicon-on-insulator MOSFETs shows that the subband structure and the carrier degeneracy strongly affect the transport properties and, in particular, the injection velocity and the channel back-scattering.
机译:本文提出了一个新的自洽多子带蒙特卡洛模型,用于在decananometric MOSFET的反型层中进行电子传输。该模拟器在真实空间和$ vec {k} $空间中是二维的,并说明了$ vec {k} $空间中电子气的简并性。纳米级超薄绝缘体上硅MOSFET的仿真表明,子带结构和载流子退化严重影响传输性能,尤其是注入速度和沟道反向散射。

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