Monte Carlo simulation; SOI MOSFET; channel length; channel depth; fully depleted SOI; drift velocity;
机译:蒙特卡罗方法研究SiC基MOSFET中栅极长度和源极/漏极偏置对电子传输性能的影响
机译:超薄SOI n-MOSFET中多子带蒙特卡洛研究的输运,量化和电子-气体退化
机译:超薄SOI n-MOSFET中多子带蒙特卡洛研究的输运,量化和电子-气体退化
机译:Monte Carlo在SOI MOSFET中的信道长度和深度电气传输影响的研究
机译:量子校正的全频带半经典蒙特卡洛模拟研究,用于硅,应力硅和硅锗MOSFET中的电荷传输。
机译:在532、800和1064 nm波长处的光声成像深度比较:蒙特卡洛模拟和实验验证
机译:用monte Carlo方法研究siC基mOsFET中电子输运特性的栅长和源漏偏差