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Si亚微米MOSFET Monte carlo模拟中散射机制的研究

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摘要

讨论了用Monte carlo法模拟半导Si内电子输运现象的散射机制,探讨并确定自由飞行时间的自散射方法,模拟电子在不同高场下的输运过程,并分析了速度过冲效应产生的原因.

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来源
《兰州文理学院学报：自然科学版》 |2007年第1期|40-43|共5页
作者
董立亭;
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作者单位

贵州大学电子科学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
Monte; Carlo方法; 自由飞行时间; 散射机制; 亚微米半导体器件;

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