机译:传导桥随机存取存储器(CBRAM)的紧凑建模
Center for Integrated Systems and the Department of Electrical Engineering, Stanford University , Stanford, CA, USA;
compact model; conducting-bridge random-access memory (CBRAM); programmable metallization cell (PMC); resistive switching; solid-electrolyte memory; voltage–time relationship;
机译:使用单相滞后(SPL)模型分析导电桥随机存取存储器(CBRAM)中的瞬态焦耳加热效应
机译:基于高度可靠的紧凑模型的电阻切换随机存取存储器交叉点阵列的电路级仿真
机译:铜基导电桥随机存取存储器(CBRAM)的超薄密度保留模型
机译:用于预测导电桥电阻式随机存取存储器(CBRAM)中形成/转换时间的分析模型
机译:故障模型和随机存取存储器中耦合故障的测试。
机译:面向应用的电阻式随机存取存储器的多尺度建模
机译:基于物理的导电桥随机存取存储器模拟和仿真(CBRAM)