CBRAM中导电丝形成机理的研究

目录

声明

1 绪论

1.1 存储器

1.1.1 存储器简介

1.1.2 新型非易失存储器

1.2 CBRAM的研究现状

1.3 第一性原理在RRAM研究中的应用

1.4 本文主要研究内容

2 理论计算基础及计算方法

2.1 密度泛函理论

2.1.1 Hartree-Fock近似方法

2.1.2 密度泛函理论方法

2.2 Bader电荷

2.3 NEB迁移势垒计算方法

2.4 非晶的原理

2.5 计算软件

3 Ag导电丝的研究

3.1 引言

3.2 模型建立与计算精度

3.2.1 GeSe模型建立

3.2.2 ZrO2模型建立

3.2.3 a-SiO2模型建立

3.2.4 a-Si模型建立

3.2.5 计算方法和精度

3.3 计算结果与分析

3.3.1 GeSe结果分析

3.3.2 ZrO2结果分析

3.3.3 a-SiO2结果分析

3.3.4 a-Si结果分析

3.4 本章总结

4 Ni导电丝的研究

4.1 引言

4.2 模型建立与计算精度

4.2.1 模型建立

4.2.2 计算方法和精度

4.3 计算结果与分析

4.3.1 GeSe结果分析

4.3.2 ZrO2结果分析

4.3.3 a-SiO2结果分析

4.3.4 a-Si结果分析

4.4 本章总结

5 总结与展望

致谢

参考文献

附录 1 攻读学位期间发表论文目录

附录 2 制作非晶的典型INCAR文件

附录 3 NEB计算的典型INCAR文件

附录 4 Bader电荷计算的典型INCAR文件