电阻式随机存取存储器(RERAM)与导电桥式随机存取存储器(CBRAM)交叉耦合的熔丝与读取方法及系统

摘要

通过将导电与非导电电阻式存储器单元两者布置为交叉耦合布置以促进读取数据状态，所述存储器单元在其电阻值中可具有非常小的差异且仍能正确读取。这允许所述存储器单元两者的电阻随时间变化且仍具有介于其电阻之间的足够差异来读取经编程的所需数据状态。一对ReRAM或CBRAM电阻式存储器装置经配置为一位存储器单元且被用于存储单一数据位，其中所述电阻式存储器装置中的一者处于擦除条件且所述对的另一电阻式存储器装置处于写入条件。因为在其导电状态之间存在跳变点，所以无需使用参考电压或电流来实现读取所述对电阻式存储器装置的电阻状态。