机译:集电极设计对IGBT雪崩强度的影响:穿通型和现场停止型器件的比较分析
Department of Electrical Engineering and Information Technologies, University of Naples Federico II, Naples, Italy;
Avalanche ruggedness; current filamentation; insulated gate bipolar transistor (IGBT) design; negative resistance region; negative resistance region.;
机译:优化的600 V穿通IGBT终端结构的雪崩耐用性
机译:场停止IGBT的雪崩$ I {-} V $曲线中的负电阻的物理特性:改善坚固性的集电极设计规则
机译:用于电源控制系统和汽车应用的非穿通沟槽栅极场截止IGBT的性能
机译:IGBT场停止设计具有良好的短路耐用性,并在静态和动态开关特性方面取得了较好的折衷
机译:用于寒冷气候的太阳能热水系统的设计,以及平板太阳能集热器中传热增强装置的研究。
机译:基于对比较实验分析的基于对比实验分析的无机空穴传输层与钙钛矿薄膜形态和光学性质的对比实验分析
机译:考虑带有单独或串联操作的IGBT的子模块设计的MMC的可靠性分析
机译:用于并网光伏系统的逆变器的工作原理和一些测试结果。第1部分:用于并网光伏系统的逆变器和mppT的工作原理,以及第2部分:弗劳恩霍夫逆变器和TUE-IGBT逆变器的实验对比分析结果