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F.Blaabjerg; 李云浩;
丹麦;
IGBT; 逆变器; 功率损耗; 模型; 仿真;
机译:集电极设计对IGBT雪崩强度的影响:穿通型和现场停止型器件的比较分析
机译:高温反向偏置应力下的穿通型和非穿通型绝缘栅双极晶体管性能比较
机译:零电流开关下的穿通和非穿通IGBT内部器件动力学研究
机译:电压谐振电路中短路漏非穿通和穿通型IGBT的开关损耗分析
机译:沟槽栅穿通IGBT的特性和建模。
机译:后路交叉韧带重建与后外侧角膜手术相结合的中期临床疗效采用二次关节镜侧边穿通穿通试验作为辅助评估
机译:E动脉内衬在em股股动脉穿通钢丝上以封堵IIIa型内漏。
机译:穿通式半导体器件中的频率转换。
机译:半导体元件,尤其是非穿通型场截止IGBT或p IGBT,在半导体背面附近但与后电极分开的区域中具有高掺杂层
机译:用于制造双极穿通型半导体器件的方法以及这种半导体器件
机译:具有掩埋层的P型LDMOS器件可解决穿通问题及其制造工艺
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