非穿通型IGBT

摘要

本实用新型提出了一种非穿通型IGBT，通过设置具有相同导电类型的第一漂移区和第二漂移区，且第一漂移区的掺杂浓度大于第二漂移区的掺杂浓度，保证当承受相同高压时，耗尽层宽度比现有的耗尽层宽度要窄，第一漂移区和第二漂移区的总厚度比现有的漂移区厚度要小，从而能够明显地降低导通压降；同时，在一般工作条件下IGBT关断时，第一漂移区和第二漂移区未被耗尽区域的总厚度要比现有的漂移区未被耗尽区域的厚度小，因此，存储于该区域内需要通过复合慢慢消失的过剩载流子比现有的要少，这样能减小电流的拖尾，减小IGBT的关断损耗。