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果朦; 张小玲; 谢雪松; 白天旭;
北京工业大学 信息学部 北京100124;
绝缘栅双极型晶体管; 穿通特性; 退化;
机译:用于通信系统开关电源的最新IGBT的特性和利用技术-引入适用于高频开关的高效,低成本NPT(非穿通)IGBT
机译:穿通和非穿通IGBT的电热模拟
机译:穿通和非穿通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的零电压开关行为
机译:具有动态特性的2000 V非穿通IGBT,例如1000 V-IGBT
机译:沟槽栅穿通IGBT的特性和建模。
机译:固定电荷膜的电压-电流关系及其穿通特性的定量分析
机译:使用有效参数提取方法的FEM穿通IGBT模型
机译:新型功率半导体绝缘栅双极晶体管(IGBT)特性研究及其在汽车点火中的应用
机译:半导体元件,尤其是非穿通型场截止IGBT或p IGBT,在半导体背面附近但与后电极分开的区域中具有高掺杂层
机译:质量退化点分析系统,质量退化点分析仪,质量退化点分析方法和程序。
机译:电压源转换器全桥模块IGBT配置和电压源转换器
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