具有低损耗、宽安全工作区的1700V平面栅软穿通IGBT

摘要

在8英寸专业IGBT芯片线上成功试制1700V平面栅软穿通(SPT) IGBT,芯片参数均匀,成品率达到95％以上.通过采用载流子存储技术,并控制集电极发射效率,IGBT具有良好的通态压降vce(on)与开关能量(Eswitch)折中特性.常温下,当芯片电流为100A,Vce(on)为2.4V,通过采用激光退火工艺提高集电极的杂质激活效率,Vce(on)可进一步降低至2.0V,比NPT结构的IGBT低0.85V.将芯片封装成1600A/1700V标准单开关模块,在125℃下,单脉冲Eswitch为0.97J,达到同类产品的先进水平.IGBT模块通过各种标准动、静态测试与极限RBSOA与SCSOA测试,表现出了很好的可靠性.