一种具有场截止构造的非穿通型沟槽IGBT制造方法

摘要

本发明公开了一种具有场截止构造的非穿通型沟槽IGBT制造方法。本发明在硅基片上表面元胞区内的沟槽中，以氮化硅绝缘介质膜作为沟槽侧壁保护，在沟槽底部形成由两次热氧化生长的厚氧化硅绝缘介质膜，在沟槽侧壁形成由一次热氧化生长的薄氧化硅绝缘介质膜；在元胞区外通过两次离子注入和热处理形成复合场限环，通过多晶硅、金属淀积与刻蚀形成复合场板，并由复合场限环和复合场板形成一个或多个耐压环；在硅基片下表面，通过两次离子注入及浅结热处理形成场截止层和集电区。本发明所确立的制造方法成本低，易于实施；制造出的IGBT面积小，开关速度快，具有功耗低、抗电磁干扰和抗辐射能力增强等性能特点，从而可以满足市场对IGBT产品高品质的需求。