一种具有场截止构造的非穿通型深沟槽IGBT及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有场截止构造的非穿通型深沟槽IGBT及其制造方法。该IGBT等效为一个NMOS场效应管驱动一个PNP双极晶体管，或者一个PMOS场效应管驱动一个NPN双极晶体管。该发明中的NMOS管或者PMOS管通过深沟槽工艺实现了垂直栅和垂直沟道，并采用高耐压沟槽栅工艺技术；NMOS管或者PMOS管、PNP管或者NPN管直接做在抛光硅片上，形成非穿通型的IGBT结构；PNP管或者NPN管的基区靠近集电区的部位通过离子注入或者扩散形成一个与基区具有相同掺杂类型，比基区有更高掺杂浓度的场截止层。该发明所确立的制造方法成本低，易于实施；制造出的IGBT面积小，开关损耗小，短路耐量高，具有抗电磁干扰和抗辐射的能力加强等性能特点。从而满足市场对IGBT产品高品质的需求。