Infineon Technologies AG, D-85579 Neubiberg, Germany;
Infineon Technologies AG, D-85579 Neubiberg, Germany;
Infineon Technologies AG, D-85579 Neubiberg, Germany;
doping profiles; insulated gate bipolar transistors; technology CAD (electronics);
机译:场截止IGBT的短路能力研究
机译:集电极设计对IGBT雪崩强度的影响:穿通型和现场停止型器件的比较分析
机译:现场停止技术中3.3 kV CIGBT短路性能的数值评估
机译:IGBT现场停止设计对于良好的短路坚固性和静态和动态开关特性的更好的折衷
机译:基于晶闸管的静态开关电路的动态建模及其在电力系统中的应用。
机译:用于代谢控制的合成基因回路:设计权衡和约束
机译:动态刚性节目系统的静态和动态特性计算机辅助设计的计算机辅助设计
机译:电源静态和动态特性对C02短路保护焊电弧行为的影响