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机译:Ge纳米线CMOS器件和电路的最终规模演示
Birck Nanotechnology Center, School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA;
CMOS; Ge; GeOI; MOSFET; nanowire (NW); operation mode; scalability;
机译:用于纳米级CMOS器件和电路的非接触式测试的电路设计
机译:使用缩放器件的低压低噪声Cmos模拟电路
机译:具有应变Si-on-SiGe通道的按比例缩放CMOS器件和电路的性能预测
机译:Ge纳米线CMOS电路的首次演示:Ge nFET中最低的SS为64 mV / dec,最高gmax为1057μS/μm,Ge CMOS反相器中的最高最大电压增益为54 V / V
机译:高度缩放CMOS和硅锗BICMOS技术的装置和电路可靠性预测建模
机译:随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
机译:大型原子电路装置耦合模拟纳米CMOS数字电路中离散掺杂的特性波动的耦合模拟