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机译:石墨烯场效应晶体管的大信号模型-第二部分:电路性能基准测试
Departament d’Enginyeria ElectrònicaEscola d’Enginyeria, Universitat Autònoma de Barcelona, Barcelona, Spain;
Ambipolar electronics; FET; Verilog-A; Verilog-A.; circuit performance benchmarking; compact model; graphene; intrinsic capacitance;
机译:包含非理想性的碳纳米管场效应晶体管的紧凑SPICE模型及其应用-第二部分:完整器件模型和电路性能基准
机译:射频电路应用的大信号单层石墨烯场效应晶体管紧凑模型
机译:石墨烯纳米带场效应晶体管相对于具有互连的纳米MOSFET的增强的器件和电路级性能基准测试
机译:基于石墨烯-FET的环形振荡器电路的设计探索:大信号紧凑型模型的测试平台
机译:用于高性能集成电路的硅锗化物基异质结双极晶体管的建模,仿真和设计。
机译:以纳米MOSFET为基准的碳纳米管场效应晶体管的器件和电路级性能
机译:石墨烯场效应晶体管的大信号模型。第二部分:电路性能基准测试
机译:用于计算机辅助电路分析的双极晶体管大信号建模