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机译:射频电路应用的大信号单层石墨烯场效应晶体管紧凑模型
IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France;
IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France;
IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France;
IEMN Laboratory, University of Lille, Villeneuve D’Ascq, France;
IEMN Laboratory, University of Lille, Villeneuve D’Ascq, France;
IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France;
IMS Laboratory, University of Bordeaux, Bordeaux, France;
Integrated circuit modeling; Graphene; Mathematical model; Charge carrier processes; Charge carrier density; Transistors; Radio frequency;
机译:勘误表“石墨烯场效应晶体管的大信号模型-第一部分:GFET本征电容的紧凑模型” [2936年7月16日]
机译:石墨烯场效应晶体管的大信号模型-第一部分:GFET本征电容的紧凑模型
机译:针对射频应用的双层石墨烯场效应晶体管的大信号模型:理论与实验
机译:用于pH感测应用的石墨烯场效应晶体管:紧凑型造型和仿真研究
机译:弹道单层黑色磷金属氧化物半导体场效应晶体管的紧凑型造型
机译:具有可逆和可调宽带隙的氢化单层石墨烯及其场效应晶体管
机译:石墨烯场效应晶体管的大信号模型。第一部分:GFET本征电容的紧凑模型