Erratum to “Large-Signal Model of Graphene Field-Effect Transistors—Part I: Compact Modeling of GFET Intrinsic Capacitances” [Jul 16 2936-2941]

Pasadas Francisco; Jimenez David

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Erratum to “Large-Signal Model of Graphene Field-Effect Transistors—Part I: Compact Modeling of GFET Intrinsic Capacitances” [Jul 16 2936-2941]

机译：勘误表“石墨烯场效应晶体管的大信号模型-第一部分：GFET本征电容的紧凑模型” [2936年7月16日]

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来源
《IEEE Transactions on Electron Devices》 |2019年第5期|2459-2459|共1页
作者
Pasadas Francisco; Jimenez David;
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作者单位

Univ Autonoma Barcelona, Escola Engn, Dept Engn Elect, E-08193 Barcelona, Spain;

Univ Autonoma Barcelona, Escola Engn, Dept Engn Elect, E-08193 Barcelona, Spain;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
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