2 annealing on the interface states of 4H- SiC/Si'/>
机译:通过高温N 2退火改善4H-SiC MOSFET中的N和P沟道迁移率
Kyoto University Kyoto Japan;
Kyoto University Kyoto Japan;
Annealing; Silicon carbide; MOS capacitors; Logic gates; Nitrogen; Interface states; Dispersion;
机译:高温稀释H-2退火对具有热生长SiO2的4H-SiC MOSFET有效迁移率的影响(Vol 55撤回,art no 04ER16,2016)
机译:高温稀释H-2退火对热生长SiO2的4H-SiC MOSFET有效迁移率的影响
机译:结合表面反掺杂和NO退火提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率
机译:预退火对N // AI共注入和过氧化4H-SiC MOSFET迁移率的影响
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:通过氧化沉积和N2O退火制造的4H-SiC {0001}和非基面上的P沟道MOSFET
机译:具有高迁移率的常闭4H-siC沟槽栅极mOsFET(预印刷)