机译:基于二维半导体的横向同源/异谐隧道式隧道FET的紧凑型电流 - 电压模型
Univ Calif Santa Barbara Dept Elect & Comp Engn Nanoelect Res Lab Santa Barbara CA 93106 USA;
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TFETs; Logic gates; Tunneling; Electric potential; Mathematical model; Integrated circuit modeling; Computational modeling; 2-D materials; 2-D semiconductors; band-to-band tunneling; compact modeling; heterojunction (HTJ); low-power; nonequilibrium Green's function (NEGF); quantum device; steep-slope transistor; tunneling field-effect transistor (TFET); van der Waals heterostructures;
机译:异质结双栅极隧道FET中的静电的2D封闭形式模型,用于计算带间隧道电流
机译:高压MOSFET中横向非均匀掺杂的紧凑建模
机译:用于数字逻辑的基于物理的III–V FET紧凑模型:电流-电压和电容-电压特性
机译:一种基于电荷的横向非对称MOSFET紧凑型型号及其在高压MOSFET建模中的应用
机译:垂直和横向隧道场效应晶体管的物理和紧凑建模
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:基于二维半导体的横向同源/异谐隧道式隧道FET的紧凑型电流 - 电压模型