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公开/公告号CN113497063A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-12
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202010248135.5
发明设计人 刘富才;曹桂铭;陈建钢;蒙鹏;刘海石;
申请日2020-04-01
分类号H01L27/1159(20170101);
代理机构51229 成都正华专利代理事务所(普通合伙);
代理人郭艳艳
地址 610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 12:51:29
机译: 生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译: 异源多聚体异源多聚体宿主细胞组合物的制备方法和异源多聚体的制备方法
机译: 异源多聚体,分离的抗体构建体,核酸,宿主细胞,异源多聚体的制备方法,药物组合物,疾病的治疗方法,异源多聚体的用途,治疗量的异源多聚体的用途以及降低抗体构建体的效应子功能的方法
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机译:利用基于Hafnia的氧化物半导体晶体管中的铁电极化,协同改善光子突触的长期可塑性
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机译:基于铁电Langmuir-Blodgett聚偏二氟乙烯共聚物薄膜的金属-铁电绝缘体-半导体结构的表征,用于无损随机存取存储器。
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