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机译:In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As异质结FET中栅极馈线/台缘接触对侧面效应的影响
机译:InP / In_(0.53)Ga_(0.47)As界面对In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:多层X射线分析IN0.52AL0.48AS / IN0.53GA0.47AS / IN0.52AL0.48AS HEMT异质结构,含有INAS NANOINSERT
机译:In0.52Al0.48As / In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As异质结构中准1D和准2D系统中的功率损耗测量
机译:完全四元In / sub 0.52 /(Al / sub 1-x / Ga / sub x /)/ sub 0.48 / As / In / sub 0.53 /(Al / sub x / Ga / sub 1-x /)/ sub 0.47 / HFET的InP上的(x = 0.1,0.2)异质结构
机译:应变的铟(0.52)铝(0.48)砷化物/铟(x)镓(1-x)砷化物(x大于0.53)高电子迁移率晶体管(HEMT),用于微波/毫米波应用。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:InP / In0.53Ga0.47As界面对In0.52Al0.48As / In0.53Ga0.47As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)作为调制掺杂准mIsFET的直流和微波特性