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机译:Ta阻挡层和孔密封介电层相互作用增强Cu /超低K(K <2.2)互连件的阻挡性能的研究
Diffusion barriers; Electric breakdown; Interconnects; Pore-sealing; Porous dielectrics; Ultralow K;
机译:双层侧壁势垒中的碳化硅基介电复合材料,用于Cu /多孔超低k互连
机译:通过自组装单层与原子层沉积相结合多孔超级-K电介质的孔密封
机译:用于铜/多孔超低k互连技术的介电/金属侧壁扩散阻挡层
机译:通过循环引发化学气相沉积工艺对用于ULSI互连的高多孔超低k电介质进行选择性孔密封
机译:在有机硅玻璃介电薄膜和新兴的非晶材料上的等离子体相互作用-进行孔密封和化学改性的方法。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:合作应用超低k电介质和高k介电材料,用于耦合多层石墨烯纳米架互连的性能增强