机译:具有冷凝硅锗源极/漏极的应变薄型p-MOSFET,可增强驱动电流性能
Ge condensation; p-MOSFETs; silicon-germanium (SiGe); strain;
机译:含锗锗硅化物金属源极和漏极的富锗应变硅锗线三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率和驱动电流增强
机译:了解应变硅n-MOSFET和p-MOSFET中应变引起的驱动电流的增强
机译:具有Ni1-yPty SiGe源极/漏极触点的P沟道三栅极FinFET,可增强驱动电流性能
机译:由SN植入物和激光退火形成的硅 - 锗 - 锡(SIGESN)源极和排水量应力为应变硅锗通道P-MOSFET
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:单轴应变p-MOSFET的阈值电压和漏极电流建模