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机译:通过硼钝化提高4H-SiC MOSFET的沟道迁移率
, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Japan;
Boron; Interface states; MOS capacitors; MOSFET; Oxidation; Passivation; Silicon carbide; Boron passivation; SiC MOSFETs; SiC MOSFETs.; channel mobility; interface state density;
机译:通过超高温栅极氧化和低氧分压冷却提高4H-SiC n-MOSFET的沟道迁移率
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机译:N_2O氧化与硼扩散相结合改善了4H-SiC N-MOSFET界面钝化
机译:钝化处理对p沟道4H-SiC MOSFET沟道迁移率的影响
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