...
机译:基于Ag / TiO 2 sub>的阈值切换装置的陡坡场效应晶体管
Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea;
Threshold switching; field-effect transistor; steep slope; subthreshold slope;
机译:具有AlGaN / GaN HEMT和基于氧化物的阈值开关装置的陡坡场效应晶体管
机译:陡峭的切换完全耗尽的绝缘体(FDSOI)相变场效应晶体管,具有优化的HFO 2 / Al 2 O 1 - 基于多层的阈值开关装置
机译:GaN基负电容异质结场效应晶体管,具有& 30?MV / DEC亚阈值斜率,用于陡峭的切换操作
机译:具有TiN衬里的基于AgTe / TiO2的阈值开关器件的单片集成,用于陡坡场效应晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有MOS2通道的陡坡栅极连接原子阈值开关场效应晶体管及其在红外检测光电晶体管上的应用
机译:陡坡场效应晶体管具有B-TE的卵形阈值开关装置