机译:GaN基负电容异质结场效应晶体管,具有& 30?MV / DEC亚阈值斜率,用于陡峭的切换操作
机译:陡峭亚阈值斜率负电容场效应晶体管的透视图
机译:β-Ga <亚> 2 sub> O 3 sum>纳米膜负电容场效应晶体管,具有宽带隙逻辑应用的陡峭亚阈值斜率
机译:GaN负电容场效应晶体管中的陡峭亚阈值摆幅
机译:具有非迟滞陡峭60mV / dec摆幅和缺陷钝化多域开关功能的负电容CMOS场效应晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于低功率应用的陡峭开关设备:负差分电容/电阻场效应晶体管
机译:具有陡峭亚阈值斜率的β-Ga2O3纳米膜负电容场效应晶体管用于宽带隙逻辑应用