机译:陡峭亚阈值斜率负电容场效应晶体管的透视图
Univ Tokyo, Inst Ind Sci, Meguro Ku, Tokyo 1538505, Japan;
机译:用于模拟电路应用的金属氧化物半导体场效应晶体管和负电容场效应晶体管的混合动力设计
机译:负电容场效应晶体管的热力学视角
机译:记录 - 低亚阈值 - 摆幅负电容2D场效应晶体管
机译:铁电栅极绝缘子的负电容场效应晶体管的器件仿真
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:高性能聚合物场效应晶体管:从多级微观结构的角度来看
机译:具有单轴铁电栅极绝缘子的负电容场效应晶体管的装置模拟
机译:与ssC电路设计相关的辐射对结型场效应晶体管(JFETs),mOsFET和双极晶体管的影响。