一种具有超陡亚阈值斜率的阻变场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种具有超陡亚阈值斜率的阻变场效应晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该阻变场效应晶体管包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个源掺杂区和一个漏掺杂区，控制栅采用栅叠层结构，其依次为底层——底电极层，中间层——阻变材料层和顶层——顶电极层。本发明与现有的突破传统亚阈值斜率极限的方法相比，该器件有较大的导通电流、较低的工作电压以及较好的亚阈特性。