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【2h】

Device simulation of negative-capacitance field-effect transistors with a uniaxial ferroelectric gate insulator

机译：具有单轴铁电栅极绝缘子的负电容场效应晶体管的装置模拟

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Junichi Hattori; Tsutomu Ikegami; Koichi Fukuda; Hiroyuki Ota; Shinji Migita; Hidehiro Asai;
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年度 2020
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