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一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

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摘要

本发明公开了一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，包括AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上部设有源极和栅极，下部依次为GaN沟道层、p‑GaN电流阻挡层、n‑GaN缓冲层、n

1. 一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管 [P] . 中国专利： CN104167442B . 2017.04.12
2. 一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管 [P] . 中国专利： CN103151392A . 2013-06-12
3. Driver circuit for gallium nitride (GaN) heterojunction field effect transistors (HFETs) [P] . 美国专利： US8054110B2 . 2011-11-08

机译：氮化镓（GaN）异质结场效应晶体管（HFET）的驱动器电路
4. DRIVER CIRCUIT FOR GALLIUM NITRIDE (GaN) HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS (HFETs) [P] . 美国专利： US2011025397A1 . 2011-02-03

机译：氮化镓（GaN）异质结场效应晶体管（HFET）的驱动器电路
5. Gallium nitride film production method and nitride-based heterojunction field effect transistor manufacturing method [P] . 韩国专利： KR101046144B1 . 2011-07-01

机译：氮化镓膜的制造方法及氮化物基异质结场效应晶体管的制造方法