一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

摘要

本发明提供了一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n+-GaN衬底，n-GaN缓冲层，p-GaN电流阻挡层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖特基接触，该晶体管还包括位于n-GaN缓冲层内，p-GaN电流阻挡层与n+-GaN衬底之间的p-GaN埋层。本发明中，通过p型GaN埋层与n-GaN缓冲层之间形成的p-n结来扩展截止状态下n-GaN缓冲层内的耗尽区域，提升n-GaN缓冲层内电场强度，从而提高器件击穿电压。