Transistors; Tin; Threshold voltage; Electrodes; Annealing; Films; Monolithic integrated circuits;
机译:具有AlGaN / GaN HEMT和基于氧化物的阈值开关装置的陡坡场效应晶体管
机译:基于Ag / TiO 2 sub>的阈值切换装置的陡坡场效应晶体管
机译:陡峭的切换完全耗尽的绝缘体(FDSOI)相变场效应晶体管,具有优化的HFO 2 / Al 2 O 1 - 基于多层的阈值开关装置
机译:基于Agte / TiO2基于Agte / TiO2阈值开关装置与锡衬管陡坡场效应晶体管的单片集成
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有MOS2通道的陡坡栅极连接原子阈值开关场效应晶体管及其在红外检测光电晶体管上的应用
机译:陡坡场效应晶体管具有B-TE的卵形阈值开关装置