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【2h】

Steep Slope Field-Effect Transistors With B–Te-Based Ovonic Threshold Switch Device

机译：陡坡场效应晶体管具有B-TE的卵形阈值开关装置

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作者
Jongmyung Yoo; Donguk Lee; Jaehyuk Park; Jeonghwan Song; Hyunsang Hwang;
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年度 2018
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1. Steep-slope field-effect transistors with AlGaN/GaN HEMT and oxide-based threshold switching device [J] . Huang Xuanqi, Fang Runchen, Yang Chen, Nanotechnology . 2019,第21期

机译：具有AlGaN / GaN HEMT和基于氧化物的阈值开关装置的陡坡场效应晶体管
2. Steep Slope Field-Effect Transistors With Ag/TiO₂-Based Threshold Switching Device [J] . Jeonghwan Song, Jiyong Woo, Sangheon Lee, IEEE Electron Device Letters . 2016,第7期

机译：基于Ag / TiO _{2 的阈值切换装置的陡坡场效应晶体管}
3. Threshold Voltage Drift in Te-Based Ovonic Threshold Switch Devices Under Various Operation Conditions [J] . Yoo Jongmyung, Karpov Ilya, Lee Sangmin, IEEE Electron Device Letters . 2020,第1期

机译：在各种操作条件下基于TE的ovonic阈值开关装置的阈值电压漂移
4. Monolithic integration of AgTe/TiO2 based threshold switching device with TiN liner for steep slope field-effect transistors [C] . Jeonghwan Song, Jaehyuk Park, Kibong Moon, IEEE International Electron Devices Meeting . 2016

机译：具有TiN衬里的基于AgTe / TiO2的阈值开关器件的单片集成，用于陡坡场效应晶体管
5. Design, fabrication and characterization of N-channel InGaAsP-InP based inversion channel technology devices (ICT) for optoelectronic integrated circuits (OEIC): Double heterojunction optoelectronic switches (DOES), heterojunction field-effect transistors (HFET), bipolar inversion channel field-effect transistors (BICFET) and bipolar inversion channel phototransistors (BICPT). [D] . Tan, Eugene. 1998

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。
6. Steep‐Slope Gate‐Connected Atomic Threshold Switching Field‐Effect Transistor with MoS2 Channel and Its Application to Infrared Detectable Phototransistors [O] . Seung‐Geun Kim, Seung‐Hwan Kim, Gwang‐Sik Kim, 2021

机译：具有MOS2通道的陡坡栅极连接原子阈值开关场效应晶体管及其在红外检测光电晶体管上的应用
7. Steep‐Slope Gate‐Connected Atomic Threshold Switching Field‐Effect Transistor with MoS 2 Channel and Its Application to Infrared Detectable Phototransistors [O] . Seung‐Geun Kim, Seung‐Hwan Kim, Gwang‐Sik Kim, 2021

机译：具有MOS 2通道的陡坡栅极连接原子阈值开关场效应晶体管及其在红外检测光电晶体管上的应用
8. Development and Study of Molecular Electronic Switches and their Field-Effect Transistor (FET) Device Properties. [R] . Yamaguchi, K., Kim, B. 2015

机译：分子电子开关及其场效应晶体管（FET）器件特性的开发与研究。

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