机译:通过原子层沉积钴和随后的退火形成具有低接触电阻率的CO硅化物。
Natl Tsing Hua Univ Dept Engn & Syst Sci Hsinchu 300 Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Dept Elect Engn Hsinchu 300 Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Dept Engn & Syst Sci Hsinchu 300 Taiwan;
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Natl Tsing Hua Univ Dept Elect Engn Hsinchu 300 Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ Dept Engn & Syst Sci Hsinchu 300 Taiwan;
Co silicide; ALD-Co; PVD-Co; contact resistivity; interface roughness; scattering;
机译:几乎外延低电阻CO锗由原子层沉积的钴和激光热退火形成
机译:由原子层沉积镍薄膜形成具有高温稳定性的低电阻硅化镍
机译:通过将BF / sub 2 // sup + /注入双层CoSi / a-Si膜并随后进行退火来形成硅化钴p / sup + /多晶硅栅极的新工艺
机译:通过原子层沉积钴/硅核壳纳米线退火形成硅化物纳米线
机译:由化学气相沉积钴形成外延硅化钴的机理,用于微电子应用。
机译:基于低温热原子层沉积的高性能双层柔性电阻式随机存取存储器
机译:无抗拒的制造碳纳米管场效应晶体管,具有优质原子层沉积的铂触点
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。