具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法

摘要

一种具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法。本发明提供了实施例互补金属氧化物半导体(CMOS)器件和形成CMOS器件的实施例方法。实施例CMOS器件包括n型金属氧化物半导体(NMOS)和p型金属氧化物半导体(PMOS)，其中，该NMOS具有夹置在第一金属接触件和NMOS源极之间以及第二金属接触件和NMOS漏极之间的含钛层，并且该PMOS具有PMOS源极和PMOS漏极，其中，PMOS源极具有朝向第三金属接触件的第一含钛区，且PMOS漏极包括朝向第四金属接触件的第二含钛区。