Flexible memory Atomic layer deposition Low temperature;
机译:基于HFO2的集成1晶体管-1电阻器电阻随机存取存储器的材料见解,由批量原子层沉积处理
机译:原子层沉积形成Al2 sub> O3 sub> -TiO2 sub>双层及其在动态随机存取存储器中的应用
机译:原子层沉积形成Al2O3-TiO2双层膜及其在动态随机存取存储器中的应用
机译:基于多层2H相钼二硫硅电阻层的电阻随机存取存储器的第一原理计算
机译:界面上电极层对基于氧化铌的电阻型随机存取存储器性能的影响
机译:通过批量原子层沉积处理的基于HfO2的集成式1晶体管1电阻阻性随机存取存储器的材料见解
机译:基于低温热原子层沉积的高性能双层柔性电阻式随机存取存储器
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。